01、一种生产硅铁、硅钙和单晶硅的原料的加工方法
02、用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法
03、单晶硅片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
04、单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
05、单晶硅片表面自洁性二氧化钛纳米薄膜的制备方法
06、具有均匀空位缺陷的单晶硅锭和晶片及其制备方法和设备
07、单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
08、单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
09、p型单晶硅片的表面处理方法
10、n型单晶硅片的表面处理方法
11、单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法
12、单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
13、单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
14、利用坩埚旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法
15、一种单晶硅抛光片热处理工艺
16、一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
17、用于制备具有改善的栅氧化层完整性的单晶硅的方法
18、单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法
19、硅片和生产单晶硅的方法
20、单晶硅膜的制造方法
21、单晶硅基片表面自组装稀土纳米膜的制备方法
22、通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
23、一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
24、一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
25、单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
26、提拉单晶硅用石英玻璃坩埚和制造该坩埚的方法
27、涂覆有金属电镀层的单晶硅基片和垂直磁记录介质
28、直拉单晶硅用砷掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法
29、单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法
30、单晶硅锭及其制造方法
31、提拉单晶硅的装置
32、通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
33、单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜类P－N结及其制作方法
34、低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用
35、单晶硅片抗机械力的提高
36、生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
37、用于单晶硅生长的非Dash缩颈法
38、形成单晶硅层的方法和制造半导体器件的方法
39、热退火后的低缺陷密度单晶硅
40、从低缺陷密度的单晶硅上制备硅－绝缘体结构
41、标定单晶硅晶圆晶向的方法
42、制备具有均匀热过程的单晶硅的方法
43、单晶硅及SOI基板、半导体装置及其制造方法、显示装置
44、平板单晶硅表面的改性方法
45、用于制备低铁污染单晶硅的装置和方法
46、用于控制空位为主的单晶硅热过程的方法
47、单晶硅晶片及单晶硅的制造方法
48、绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法
49、分离单晶硅埚底料中石英的工艺
50、直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法
51、抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置
52、制备单晶硅片表面完整层的新途径
53、非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置
54、掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法
55、单晶硅的制造方法和设备
56、单晶硅生产装置
57、制造单晶硅的设备
58、单晶硅生产设备
59、制造单晶硅的装置
60、单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭隔热屏的制备方法
61、单晶硅拉制炉及多晶硅冶炼炉用炭/炭加热器的制备方法
62、一种在单晶硅基底表面直接制备Cr-Si硅化物电阻薄膜的方法
63、单晶硅切方机构
64、制作单晶硅太阳电池绒面的方法
65、基于霍夫变换的直拉单晶硅棒直径的测量方法
66、在单晶硅片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法
67、单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
68、单晶硅太阳电池绒面的制备方法
69、单晶硅制备中稀土镧系基合金吸气剂提纯氩气与氩气回收工艺
70、生产单晶硅的方法
71、直拉法单晶硅生长过程中的熔体液面位置检测方法