一种新型的有机‑无机钙钛矿半导体材料的制备方法
一种新型的有机‑无机钙钛矿半导体材料的制备方法,包括以下步骤:准备以硅为主要材料的基板,将其依次在甲醇、甲酯乙酮和去离子水中超声清洗,然后放在真空干燥箱中实现干燥;配制前驱体溶液,这里选用NH2与有机卤化物接触后形成的液体以及NH2与无机卤化物接触后形成的膏状物质;在RNH2中,R为C1‑C10的有机基团;有机卤化物为RNH3X或甲脒卤化物;然后两者放在55°‑70°温度下进行搅拌,得到均匀的钙钛矿前驱体溶液;将上述制备好的钙钛矿前驱体溶液装入喷涂瓶中,然后将其喷涂在基板上形成液膜;慢慢的加热基板,使得液膜形成半干膜。本发明的制备方法可以有效的形成厚度均匀而且面积较大的钙钛矿薄膜。 |
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