多晶硅刻蚀方法 多晶硅刻蚀技术 多晶硅栅极 多晶硅刻蚀工艺  全套62项共500元

1、多晶硅的刻蚀方法
2、一种减少颗粒产生的多晶硅栅极刻蚀工艺
3、一种多晶硅层间介质刻蚀方法
4、一种去除多晶硅刻蚀工艺中残留聚合物的方法
5、用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
6、多晶硅的蚀刻方法
7、多晶硅刻蚀腔体
8、一种消除多晶硅刻蚀过程出现缝隙的方法
9、采用多晶硅刻蚀聚合物作为可去除侧墙的工艺方法
10、蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
11、减小微沟道效应的多晶硅刻蚀工艺
12、多晶硅层的蚀刻方法
13、防腐蚀多晶硅还原炉
14、尤其在闪存中用于刻蚀多晶硅上钨硅化物的方法
15、一种两次刻蚀单多晶硅的高功率BCD工艺
16、一种多晶硅层间介质刻蚀方法
17、用于基于SONOS的快闪存储的多晶硅栅极蚀刻方法和器件
18、双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻
19、15-50纳米线宽多晶硅栅的刻蚀方法
20、多晶硅刻蚀方法
21、一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法
22、气体分布控制系统及多晶硅栅极刻蚀与硅片浅沟槽隔离刻蚀的方法
23、一种多晶硅栅极刻蚀的方法
24、改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
25、双极CMOS器件多晶硅刻蚀方法
26、0纳米多晶硅栅刻蚀－氟化+反应离子刻蚀方法
27、一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法
28、一种多晶硅刻蚀工艺中的颗粒控制方法
29、槽刻蚀及多晶硅注入工艺
30、多晶硅的腐蚀方法和腐蚀装置
31、一种多晶硅刻蚀腔室中阳极氧化零件表面的清洗方法
32、一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺
33、多晶硅的修复刻蚀方法
34、掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法
35、一种多晶硅干法腐蚀装置
36、一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法
37、一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法
38、多晶硅叠层、双栅以及半导体材料叠层刻蚀方法
39、多晶硅酸蚀化学绒面制备添加剂
40、一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺
41、多晶硅栅极的刻蚀方法以及半导体器件的制作方法
42、多晶硅铸锭炉的耐腐蚀涂层、耐高温保护层及其制备方法
43、一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺
44、三氟化氯刻蚀多晶硅成长炉的终点控制方法
45、刻蚀多晶硅层的工艺、MOS晶体管的形成方法
46、多晶硅控制的回蚀刻显示器
47、一种多晶硅碳头料分离腐蚀液及分离方法
48、避免沟槽底部毛边生成的多晶硅刻蚀工艺
49、利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
50、对深沟槽内的多晶硅进行干法刻蚀的方法
51、多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除
52、提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法
53、一种氧氮氧多晶硅层间介质湿法刻蚀方法
54、一种多晶硅刻蚀的方法
55、修复多晶硅栅极侧壁刻蚀损伤的方法及栅极的制造方法
56、基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
57、一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置
58、一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法
59、多晶硅层的腐蚀方法
60、一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
61、一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺
62、多晶硅刻蚀的方法